我国芯片与国际最先进技术存在多方面差距。在制程工艺上，国际领先企业已实现 3 纳米芯片的量产，而我国虽在 14 纳米制程上取得突破，但在更先进的制程技术研发和量产能力上仍有较大差距。先进的制程能让芯片在更小的面积上集成更多晶体管，从而提升性能、降低功耗，这方面的差距影响了我国在高端移动设备、高性能计算等领域芯片的竞争力。

        芯片设计工具方面，国际上的电子设计自动化（EDA）软件功能强大且成熟，占据了全球大部分市场份额。我国 EDA 软件在部分关键技术上存在短板，工具的完整性和稳定性不足，限制了芯片设计的效率和质量，尤其是在设计复杂的高端芯片时劣势明显。

        设备与材料上，光刻机是制造高端芯片的核心设备，国际先进企业能生产极紫外（EUV）光刻机，而我国在光刻机技术上还处于追赶阶段，难以获得最先进的设备。同时，在光刻胶、大尺寸硅片等关键材料方面，我国虽有一定发展，但在质量和供应稳定性上与国际先进水平有差距，影响了芯片制造的良品率和大规模生产能力。

        人才储备上，国际芯片产业起步早，吸引了全球大量优秀人才，形成了完善的人才培养和科研体系。我国芯片产业近年来虽吸引了不少人才回流，但整体人才数量和高端人才占比仍低于国际水平，特别是在一些关键技术领域缺乏领军人物。不过，我国正加大在芯片领域的投入，在政策支持、科研创新和产业发展等多方面发力，努力缩小与国际最先进技术的芯片差距。